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400V架构下硅基IGBT跟碳化硅MOS成本和性能上有什么差异?

1)硅基价格很便宜,英飞凌HPD,80V一个1000-1500元,碳化硅价格至少4500元,增加3000元成本。

2)相同功率条件下,按照NEDC标准,我的观点是提升4-5%续航里程(逆变器、电驱动的效率能从89%提到91%左右,整体提升6-7%,折算到续航里程有4-5%提升)。续航里程增加,那么在相同的续航里程条件下,电池节省4kWh左右,折算节省4000元。

3)碳化硅带动整个系统效率提高,系统成本相应下降,预计还有1000元左右的节省(eg.冷却系统、线束)。

4)总结:在相同性能的产品条件下,碳化硅替代硅基IGBT成本增加3000元,电池节省4000元,其他系统成本节省1000元,合计有2000元左右的成本降低。


800V的碳化硅方案与400V硅基IGBT方案有什么变化,尤其性能上会有哪些变化?

升级800V以后,整车性能会更好,更能配适快充,但成本还是要增加。

800V使用碳化硅,价格增加是必然的,另一方面,

1)Q=I^Rt,电流降一半,线束能省很多钱(原成本1000多元,能下降比较多);

2)接插件增加,这部分成本加一些;

3)我认为整体800V碳化硅方案比400V硅方案成本会多1000元左右。(没有考虑升级800V后电池串并联出现不均衡性后导致的成本增加,800V对一致性要求更高,但这部分我暂无相关数据。)


如果只关注功率模块单元,碳化硅在400V跟800V差别大吗?

1)晶圆大小没有太大差别,用料不会相差太大(晶圆厚度、耐压能力更强但不会有本质区别,但800V用料会相对多一些);

2)800V碳化硅的耐压绝缘特性对外部电路、绝缘、驱动要求更高,增加100-200元成本;

3)总的来说,800V碳化硅会增加一些成本,但不会太明显。


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点击次数:658  更新时间:2021-11-13  【打印此页】  【关闭