400V架构下硅基IGBT跟碳化硅MOS成本和性能上有什么差异？

1）硅基价格很便宜，英飞凌HPD，80V一个1000-1500元，碳化硅价格至少4500元，增加3000元成本。

2）相同功率条件下，按照NEDC标准，我的观点是提升4-5%续航里程（逆变器、电驱动的效率能从89%提到91%左右，整体提升6-7%，折算到续航里程有4-5%提升）。续航里程增加，那么在相同的续航里程条件下，电池节省4kWh左右，折算节省4000元。

3）碳化硅带动整个系统效率提高，系统成本相应下降，预计还有1000元左右的节省（eg.冷却系统、线束）。

4）总结：在相同性能的产品条件下，碳化硅替代硅基IGBT成本增加3000元，电池节省4000元，其他系统成本节省1000元，合计有2000元左右的成本降低。

800V的碳化硅方案与400V硅基IGBT方案有什么变化，尤其性能上会有哪些变化？

升级800V以后，整车性能会更好，更能配适快充，但成本还是要增加。

800V使用碳化硅，价格增加是必然的，另一方面，

1）Q=I^Rt，电流降一半，线束能省很多钱（原成本1000多元，能下降比较多）；

2）接插件增加，这部分成本加一些；

3）我认为整体800V碳化硅方案比400V硅方案成本会多1000元左右。（没有考虑升级800V后电池串并联出现不均衡性后导致的成本增加，800V对一致性要求更高，但这部分我暂无相关数据。）

如果只关注功率模块单元，碳化硅在400V跟800V差别大吗？

1）晶圆大小没有太大差别，用料不会相差太大（晶圆厚度、耐压能力更强但不会有本质区别，但800V用料会相对多一些）；

2）800V碳化硅的耐压绝缘特性对外部电路、绝缘、驱动要求更高，增加100-200元成本；

3）总的来说，800V碳化硅会增加一些成本，但不会太明显。